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SMC真空、破壞單元檢測(cè)方式技術(shù)介紹VQD1000-V-05-5

SMC真空、破壞單元檢測(cè)方式技術(shù)介紹VQD1000-V-05-5

  • 所屬分類:日本SMC/SMC電磁閥
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2019-11-04
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

SMC真空、破壞單元檢測(cè)方式技術(shù)介紹VQD1000-V-05-5

技術(shù)參數(shù)

閥規(guī)格

閥構(gòu)造                       直動(dòng)式座閥

使用流體                  空氣、惰性氣體/臭氧對(duì)策品

1.jpg

使用壓力范圍  吸著(負(fù)壓)    0~-100kPa

              破壞(正壓)    0~0.7MPa

響應(yīng)時(shí)間     吸著(OFF)      2±1msec

             破壞(ON)      4±1msec

吸入流量/聲速流導(dǎo)           16l/min/0.27dm3/(s·bar)

手動(dòng)操作                  非推定鎖壓式

耐沖擊/耐振動(dòng)              150/30m/s2

安裝方式                  自由


保護(hù)構(gòu)造                   防塵

電氣規(guī)格

線圈額定電壓                 DC24V、DC12V

允許額定電壓                   額定電壓±10%

線圈絕緣種類                    相當(dāng)B種

消耗功率  VQD1151W(切換用)   3.2W省電型(起動(dòng)3.2W、保持2.4W)

      10-VQ110(破壞供給用)    1W

導(dǎo)線引出方式               L型、M型插座式(帶指示燈·過電壓保護(hù)回路)

關(guān)于連續(xù)通電

警告

因與環(huán)境溫度及通電時(shí)間有關(guān),線圈溫度變高,故不要用手

直接接觸閥。

有手直接觸及的危險(xiǎn)性的場(chǎng)合應(yīng)設(shè)置保護(hù)罩。

注意

3位以上同時(shí)通電的場(chǎng)合,通電、不通電應(yīng)交替排列為好。

不得已3位以上同時(shí)通電使用的場(chǎng)合,通電時(shí)間應(yīng)在30分鐘

以內(nèi),及通電比率在50%以下。

MGPM16-50Z

MDBB50-75Z

MBT40-50Z

ZK2A12K5AL-06

MB-C06

MDBB80-550Z

MGPM12-20Z

MDBB32-200Z

CDM2B25-100AZ

CM2E25-50Z

AC30A-03D-A

MBB50-50Z

MB-C03

ZP2-125HCL

CDM2B20-50Z

AC20A-02E-B

MB-L03

AR20-02BE-1-B

VXA3234M-02-B

MGPM16-10Z

AC30D-02D-A

MY2H16G-250L

SMC真空、破壞單元檢測(cè)方式技術(shù)介紹VQD1000-V-05-5

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